由 jpichiban 随着中国企业在碳化硅 (SiC) 功率半导体领域的崛起，日本、美国和欧洲企业正积极开发五项周边技术来保持竞争优势。这些技术包括芯片嵌入技术、可靠且低成本的封装材料、小型化传感器、新型元件结构和提高可靠性以满足工业用途。
芯片嵌入技术可以将功率元件封装在基板内，实现小型化和提高开关速度。银硅复合烧结材料降低了成本，同时提升了封装材料的可靠性。小型化传感器可以在模块内更精确地测量温度和电流，而新型元件结构则提高了性能。日美欧企业还专注于提高产品的可靠性，以满足工业设备、可再生能源和电力基础设施等高要求领域的需求。通过这些技术创新，日美欧企业力图在 SiC 功率半导体市场上保持领先地位。
zh-CN:
Translated Title: SiC 功率半导体：日美欧五项周边技术抗衡中国企业
Summary: 随着中国企业在碳化硅 (SiC) 功率半导体领域的崛起，日本、美国和欧洲企业正积极开发五项周边技术来保持竞争优势。这些技术包括芯片嵌入技术、可靠且低成本的封装材料、小型化传感器、新型元件结构和提高可靠性以满足工业用途。
芯片嵌入技术可以将功率元件封装在基板内，实现小型化和提高开关速度。银硅复合烧结材料降低了成本，同时提升了封装材料的可靠性。小型化传感器可以在模块内更精确地测量温度和电流，而新型元件结构则提高了性能。日美欧企业还专注于提高产品的可靠性，以满足工业设备、可再生能源和电力基础设施等高要求领域的需求。通过这些技术创新，日美欧企业力图在 SiC 功率半导体市场上保持领先地位。
Original article: http://cn.nikkei.com/columnviewpoint/column/56481-2024-09-03-05-00-56.html?print=1