Thu, 26 Sep 2024 03:26:52 GMT
韩国半导体巨头SK海力士周四(4月25日)表示,已开始大规模生产新一代高带宽内存(HBM)芯片,并计划于年底前交付,受此消息提振,SK海力士股价周四早盘一度大涨逾9%。
SK海力士表示,新产品将是全球首款12层HBM3E芯片,HBM3E指的是最新一代的高级内存芯片,能够处理高端生成式人工智能工作。SK海力士称,这款芯片的容量将达到36GB,是现有HBM芯片中最大的,比该公司此前开始大规模生产的8层芯片容量增加了50%,同时保持了相同的厚度。
SK海力士一直是英伟达等公司的人工智能芯片组所需高带宽内存芯片的主要供应商,该公司计划在今年年底前交付最新产品。SK海力士是全球第二大存储芯片制造商,该公司正寻求继续在人工智能内存芯片市场保持主导地位。
HBM是一种动态随机存取存储器(DRAM),芯片垂直堆叠以节省空间并降低功耗。SK海力士、美光科技和三星电子是HBM芯片的三大主要制造商。
在美股市场,美光科技周三(4月24日)发布了令人意外的强劲的第一财季销售和利润预测,表明对HBM芯片的强劲需求仍在持续。这家美国最大的计算机内存芯片制造商预计,第一财季每股收益为1.74美元,营收为87亿美元。根据LSEG的共识估计,这一预测超过了市场预期的每股收益1.65美元,营收82.8亿美元。
受美光科技乐观预测和SK海力士宣布量产新一代HBM芯片的提振,周四早盘亚洲芯片股普遍上涨,东京电子上涨7%,爱德万测试上涨5%。全球最大的存储芯片制造商三星电子上涨逾3%。韩国基准的蓝筹股指数Kospi指数上涨2%。
原文链接:https://www.cnbc.com/2024/09/26/sk-hynix-to-start-mass-production-of-new-hbm3e-chip.html