日本开发出EUV光刻设备新技术，功耗降低至十分之一

日本冲绳科学技术大学院大学开发了一种新技术，可以大幅降低极紫外光刻（EUV）设备的功耗和制造成本。该技术通过将EUV路径上的反射镜数量从10个减少到4个，减少了EUV光源的能耗。由于EUV在每次反射后能量损失40%，新技术可以将10%以上的能量传递到晶圆，而传统设备仅能传递1%。这将使设备的整体功耗降低到原来的十分之一，并大幅简化结构，降低设备引入成本。研究团队计划从2025年开始使用EUV进行验证，并与企业合作，力争在2026年开发出第一台设备。

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Translated Title: 日本开发出EUV光刻设备新技术，功耗降低至十分之一

Summary: 日本冲绳科学技术大学院大学开发了一种新技术，可以显著降低制造最先进半导体所需的极紫外光刻（EUV）设备的功耗和制造成本。该技术通过将EUV路径上的反射镜数量从原来的10个减少到4个，减少了EUV光源的能耗。由于EUV在每次反射后能量损失40%，新技术可以将10%以上的能量传递到晶圆，而传统设备仅能传递1%。这将使设备的整体功耗降低到原来的十分之一，并大幅简化结构，降低设备引入成本。研究团队计划从2025年开始使用EUV进行验证，并与企业合作，力争在2026年开发出第一台设备。

Original article: http://cn.nikkei.com/industry/scienceatechnology/56318-2024-08-13-08-49-05.html?print=1