2024/11/25
韩国半导体巨头SK海力士11月21日发布消息称，已开始量产用于存储数据的NAND闪存的321层产品。预计将用于面向人工智能（AI）的数据中心和“边缘AI”等领域。自2025年上半年开始交货。
SK海力士量产的321层NAND闪存
此前最尖端的NAND闪存为238层。与238层相比，321层的数据传输速度提高了12%，读取数据时的电力效率也提高10%以上。单位芯片面积的数据容量也增加59%。
NAND闪存被用于智能手机和数据中心。各开发企业正在展开纵向堆叠存储元件、以增加数据容量的竞争。SK使用了4D技术，集成度比属于业界标准的3D（3维）更高，实现了321层。SK表示：“没有发现其他公司超过300层的产品”。
日本经济新闻（中文版：日经中文网）松浦奈美 首尔
Original article: http://cn.nikkei.com/industry/itelectric-appliance/57337-2024-11-25-11-03-45.html?print=1
